本设备机构由SW2016设计包含零件特征可编辑,采用薄型SO6L封装的光耦—“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。利用装架机定位,提高良品率和生产效率。厚度仅有2.3毫米(最大值)的薄性组装(SO6L)可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。合理设计组装动作节拍,提高精度和效率,增加保证良品率的工艺。缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等直接通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET,TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容SDIP6封装的焊盘,能够为电路板组件布局提供更高的灵活性,并支持电路板背面安装,元器件上料方式由两组气缸上下同时对变形的引脚进行整脚整平,上气缸和整脚压块负责整平,速度可达2000,适用范围广,用于器件高度受限的新型电路设计。最高工作温度额定值均达到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易设计和保持温度裕度。SO6L(LF4)封装的引线成型选项。高峰值输出电流额定值(@Ta=-40℃至125℃)IOP=±2.5A(TLP5702H)IOP=±5.0A(TLP5705H)薄型SO6L封装高工作温度额定值:Topr(最大值)=125℃主要规格℃,@Ta=-40℃至125。包含STP与UG通用可编辑格式。
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作品编号:
300159
图纸版本:
Solidworks2016
可否编辑:
可编辑,不包含特征参数
文件大小:
171.1MB
下载积分:
998
文件统计:
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